北京
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国家知识产权局信息显示，上海稷以科技有限公司申请一项名为“一种基于潘宁电离的等离子体刻蚀方法及装置”的专利，公开号CN122892471A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种基于潘宁电离的等离子体刻蚀方法及装置。本方法，包括：向反应腔体中输入惰性气体，通过射频放电形成亚稳态惰性气体粒子；向所述反应腔体中输入含氟反应气体，使所述亚稳态惰性气体粒子与所述含氟反应气体发生潘宁电离反应，产生高活性氟基粒子；利用所述高活性氟基粒子对置于所述反应腔体中的半导体衬底的高深宽比结构进行各向同性等离子体刻蚀处理。本发明通过将含氟反应气体引入亚稳态惰性气体下游区域进行潘宁电离，在保持高化学活性的同时大幅降低粒子动能，将刻蚀工艺从物理轰击与化学反应混合主导转变为化学反应主导显著提升了刻蚀均匀性与形貌精度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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