北京
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国家知识产权局信息显示，上海晟衡检测技术有限公司申请一项名为“芯片去层方法”的专利，公开号CN122892503A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种芯片去层方法，包括：将完成电路编辑后的芯片放置于载物台上，并确定芯片上开孔的位置；按照确定的位置将硅脂填充至开孔内；将芯片放置于刻蚀腔体内，并对芯片进行刻蚀；将芯片从刻蚀腔体内取出，并对芯片进行清洗，以去除硅脂。通过选用硅脂作为完成电路编辑后的芯片上开孔的填充保护材料，利用硅脂良好的填充性和化学稳定性，能够有效隔绝后续蚀刻过程对芯片上开孔位置内部结构的影响；同时，由于硅脂不溶于水且易于被水流剥离，使得在完成后续刻蚀工艺后，硅脂可以被轻易、无损地去除，无需引入强酸、强碱或有机溶剂，从而可以避免对芯片造成二次污染。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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