北京
分享至
国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“双孔图形大马士革结构的制备方法”的专利，公开号CN122892545A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双孔图形大马士革结构的制备方法，利用光刻胶层形成第一孔洞光刻胶图形，依次刻蚀第一孔洞光刻图形的孔洞处的含硅抗反射层和旋涂碳层，停止在介质膜层，后在晶圆上涂布导向自组装材料，所述导向自组装材料为嵌段共聚物材料；然后通过导向自组装材料的微相分离形成第二孔洞图形，只有第一孔洞图形使用了光刻技术，从而节省了一道光刻工艺，降低了成本；第二孔洞图形是通过导向自组装材料的微相分离形成的，是一个自对准的过程，提高了套刻精度，并使得第二孔洞图形在第一孔洞图形的基础上进行了微缩，可以获得更小的第二孔洞图形。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
