北京
分享至
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“浮栅型闪存耦合介质层保护方法”的专利，公开号CN122892188A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种浮栅型闪存耦合介质层保护方法，包括：提供半导体衬底，其包括闪存区域和外围区域，闪存区域形成有浮栅及位于衬底与浮栅间的耦合介质层，且衬底形成有浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构中填充隔离介质层；在隔离介质层顶部沉积钝化层；去除外围区域的钝化层，保留闪存区域的钝化层；进行退火处理，利用闪存区域保留的钝化层阻挡退火过程中的反应气体向耦合介质层扩散；去除闪存区域保留的钝化层。本发明能有效阻挡退火过程中的水蒸气扩散，抑制耦合介质层异常增厚，维持器件电学性能，且不影响外围逻辑器件。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
