北京
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国家知识产权局信息显示，湖北优炜芯科技有限公司申请一项名为“一种具有光提取增强结构的垂直型深紫外LED”的专利，公开号CN122892340A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种具有光提取增强结构的垂直型深紫外LED，其通过在N型半导体层的上表面与N型电极的上表面中的至少一处设置由侧壁倾斜的凸起或凹槽构成的光提取增强结构，以使量子阱有源层发出的大量侧向传播光经倾斜侧壁反射或折射后改变传播方向，突破半导体材料与空气界面全反射带来的逃逸角限制，从而显著增加成功出射的光子数量，大幅提升光提取效率，进而改善电流分布均匀性、降低器件焦耳热、提高可靠性，最终实现深紫外LED电光转换效率的显著提升，满足大流量水体处理等高端应用场景对高光功率、高可靠性的需求。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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