北京
分享至
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“IO接口电路结构”的专利，公开号CN122891046A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种IO接口电路结构，其中电平转换逻辑电路包含两个PMOS管和三个NMOS管；第一PMOS管和第一NMOS管组成一个反相器，第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极共接至电源电压，第一PMOS管的源极接核心电压，第一NMOS管的源极接地，第一PMOS管和第一NMOS管的漏极共接至输出端；第二PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管的漏极都连接核心电压，第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的栅极共接至电源电压，第二NMOS管和第三NMOS管的源极共接并与第二PMOS管的栅极连接，第二PMOS管的漏极接至输出端。本发明可以保证电平转换逻辑电路在高频、核心电压VDDC较低的情况下仍然能够准确地实现信号数据的传输，避免了电路失效的发生。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
