北京
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国家知识产权局信息显示，广州奥松电子股份有限公司申请一项名为“一种提高电极稳定性和抗老化性能的湿度传感器保护层及其制备方法”的专利，公开号CN122876738A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高电极稳定性和抗老化性能的湿度传感器保护层，设置于湿度传感器的电极上方，包括：一过渡层，所述过渡层由具有导电性能的高分子材料构成，设置于所述电极表面；一无机导电材料层，所述无机导电材料层设置于所述过渡层之上；一高分子湿敏层，所述高分子湿敏层设置于所述无机导电材料层之上，由对湿度敏感的高分子材料构成。本发明通过在电极表面依次设置导电高分子过渡层、无机导电材料层及高分子湿敏层，三层结构协同实现了阻抗匹配、力学缓冲与化学隔离，在提升长期稳定性与抗老化性能的同时，保持了优异的湿度响应特性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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