格罗方德与台积电达成合作协议，将在美国生产CoWoS硅中介层

2026年10月8日，格罗方德（GlobalFoundries，以下简称“GF”）官方宣布，已与台积电达成专项制造合作协议，将在美国本土搭建服务于台积电CoWoS®先进封装生态的硅中介层专属供应体系，补齐美国高端芯片封装产业链的关键短板。

本次合作协议总价值达20亿美元，基础合作期限为五年。根据协议约定，GF将针对性扩容其美国纽约州马耳他晶圆厂的先进制造产能，专项为台积电提供硅中介层代工制造服务。项目量产工作将于2028年上半年启动产能爬坡，同时协议预留弹性扩容框架，可根据全球AI、高性能计算芯片的市场需求变化，持续扩充中介层产能，保障供应链交付稳定性。

此次扩产聚焦适配台积电CoWoS先进封装生态的硅中介层产品，新增产能可兼容嵌入式深沟槽电容器（eDTC）等核心先进封装技术，能够适配多代次高端芯片产品的封装需求，大幅提升台积电先进封装产能的规模体量与全球交付弹性。GF在官方公告中明确，该项目是美国首个落地、可规模化供货的CoWoS生态先进封装硅中介层制造项目，标志着美国在高端2.5D先进封装核心组件领域实现本土化产能突破。

需要明确的是，GF官方公告仅提及服务于台积电CoWoS整体先进封装生态，并未锁定单一技术路线，未披露具体适配的CoWoS技术变体、对应工艺代际以及精准新增产能规模。台积电CoWoS产品体系包含CoWoS-S、CoWoS-R等多条差异化封装方案，不同路线的芯片互连结构、硅中介层设计与实现工艺存在显著差异，因此业内不宜将本次合作的供货范围直接限定为传统的CoWoS-S中介层产品。

在高端芯片主流的2.5D封装架构中，计算逻辑芯粒与高带宽内存（HBM）堆栈采用并排布局方式，集成于硅中介层表面，依托中介层内部高密度金属布线完成多芯粒之间的高速信号互连；硅通孔（TSV）工艺则负责将中介层的顶层电路电连接垂直导通至下方封装基板，实现芯片整体电路的导通与散热。

作为2.5D封装的核心载体，硅中介层的设计与制造具备高度定制化特征：其物理尺寸、金属布线层数、供电网络架构、信号与电源完整性、散热设计等核心参数，均需匹配对应封装方案，且会直接受逻辑芯粒、HBM堆栈的数量、尺寸、布局方式影响。截至目前，双方均未披露本次合作超大尺寸中介层的具体技术方案、与台积电现有封装工艺的设计规则兼容细则，以及相关制造知识产权的归属、保护与授权机制。

从公开合作分工模式来看，GF全程扮演专属代工制造角色，仅为台积电提供硅中介层晶圆制造服务，并无公开信息显示GF将以独立元件供应商身份，直接面向终端芯片客户销售硅中介层产品，整体合作模式为“台积电统筹、GF专属代工”。

同时，硅中介层制造仅为CoWoS先进封装全流程的单一核心环节，后续逻辑芯粒与HBM堆栈的精密键合组装、中介层与封装基板的集成对接、成品电性测试、可靠性验证等关键工序，仍依赖台积电及合作方的先进封装产能与专项工艺能力。本次协议仅聚焦硅中介层晶圆制造，未涵盖后续封装组装与成品测试环节。

布局美国本土先进封装产能，是台积电近年全球化供应链布局的核心方向之一。台积电高管已于2026年4月明确表态，计划2029年前在美国亚利桑那州落地CoWoS及3D-IC先进封装产能，构建美国本土从芯片制造到先进封装的完整产业链。在此基础上，台积电于2026年6月与全球封测大厂安靠（Amkor）签署十年期长期合作协议，由台积电采购安靠的先进封装与测试配套服务。

公开资料显示，安靠位于美国亚利桑那州皮奥里亚的先进封装测试工厂，预计2028年初正式投产，与GF硅中介层产能爬坡周期形成时间衔接。不过目前多项核心合作细节尚未公开：GF生产的本土化硅中介层是否定向供应台积电亚利桑那封装厂、是否配套安靠美国封装产线，以及台积电与安靠的具体工序分工、产能配比均未披露。

此外，市场需厘清供应链边界：本次合作仅聚焦硅中介层本土化制造，完全不涉及高带宽内存（HBM）的生产、采购与供应链布局。换言之，美国硅中介层产能的落地，并不代表HBM这一AI芯片核心元器件实现美国本土化供应，美国高端AI芯片封装供应链仍存在关键环节缺口。

总的来看，格罗方德此次与台积电合作，标志着美国在CoWoS先进封装核心组件上迈出本土化关键一步。但硅中介层仅是封装链条中的一环，HBM供应、键合组装与测试等环节仍依赖亚洲及台积电体系。产能落地能否真正缓解AI芯片封装瓶颈，还需看后续各环节的协同进展。

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