北京
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国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司申请一项名为“硅片缺陷检测方法、装置及系统”的专利，公开号CN122887867A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种硅片缺陷检测方法、装置及系统，属于半导体技术领域，该方法包括基于待测硅片的透射图像，利用预先构建的识别模型确定待测硅片的第一分类结果，第一分类结果用于指示待测硅片正常、存在第一缺陷或存在第二缺陷中的一种；在第一分类结果指示待测硅片正常时，基于预设模板图像和透射图像，得到待测硅片的第二分类结果；在第二分类结果指示待测硅片异常的情况下，或者在第一分类结果指示待测硅片存在第一缺陷的情况下，基于透射图像上识别出的目标缺陷区域和预设缺陷识别阈值，确定待测硅片的第三分类结果。该方法通过多级检测的逐步筛选和分级评估，可提高硅片缺陷检测的准确性和可靠性，有效识别出可能影响后续工序的硅片缺陷。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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