北京
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国家知识产权局信息显示，盛吉盛半导体科技股份有限公司申请一项名为“等离子体腔室的射频馈电结构及基板处理装置”的专利，公开号CN122889663A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明属于沉积技术领域，提供等离子体腔室的射频馈电结构及基板处理装置，其中，所述等离子体腔室的射频馈电结构包括馈电杆和电容结构，所述电容结构包括至少一个与所述馈电杆并联的电容，所述电容用于在等离子体点火时调节所述馈电杆的电压。本发明能够提高等离子体点火时真空侧电压，降低功率损耗，提高响应速度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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