EUV是先进芯片关键！余承东透露，国内正开展相关设备研发

很多普通用户平时刷手机、用电脑，只关心芯片跑分高不高、手机卡不卡，很少去深究一颗高性能芯片到底是怎么造出来的。但最近余承东在国际媒体圆桌会上的发言，再次把EUV极紫外光刻设备带到大众视野。简单来说，想要造出最顶尖的先进制程芯片，EUV设备是绕不开的核心硬件。他明确提到，国内正在推进EUV设备的研发工作，而现阶段国内芯片制造，主要还是依托DUV深紫外光刻设备。今天咱们用大白话，讲清楚EUV到底是什么、难点在哪，以及国内半导体行业当下的布局与思考。

一、EUV到底是什么？一台制造先进芯片的纳米级雕刻机

很多人会把光刻机简单理解成相机，更通俗的比喻，EUV光刻机就是一台纳米级的超级复印机，同时也是微观世界的精密雕刻机。

芯片本质是一块薄薄的硅晶圆，我们需要在指甲盖大小的硅片上，刻出数十亿个晶体管，晶体管之间的线路极其细微。线路越细，同样面积里就能放下更多晶体管，芯片算力越强、功耗越低。而光刻，就是把提前设计好的电路图案，通过光线曝光的方式，一层一层复刻到硅晶圆表面。

普通DUV深紫外光，波长193纳米。在过去很长一段时间，依靠多重曝光等工艺，DUV可以实现不少成熟制程芯片的生产。但到了7nm及以下的先进制程，193纳米的光线波长太长，就像用粗毛笔去画一根极细的线条，图案会模糊，很难稳定做出更精细的电路。

EUV全称极紫外光，波长仅13.5纳米，远短于DUV。更短的波长，物理上能够刻出更细微的电路图案，这也是为什么EUV被公认是制造高端先进芯片的核心设备。

但EUV光有一个很棘手的特点：它几乎会被所有物质吸收，空气都会消耗掉极紫外光子。所以EUV光刻机内部必须维持超高真空环境。它产生光线的方式也非常特殊，设备会持续喷出微小锡液滴，再用高功率激光轰击锡滴，瞬间加热到数万摄氏度，产生等离子体，从而释放极紫外光。整套系统每秒重复数万次，每一个环节都要求极致精密。

整台设备包含光源、超高精度反射镜、磁悬浮工件台、真空系统、精密测控等成千上万个子部件，涉及光学、材料、机械、真空、激光等数十个学科，是人类现代工业体系里复杂度最高的设备之一。

二、余承东本次发言核心解读：认清现状，两条路线并行

在9月29日国际媒体圆桌交流环节，面对媒体关于芯片、EUV设备的提问，余承东给出了清晰客观的表述：EUV设备是制造先进芯片的关键，国内正在开展相关设备研发，现阶段国内芯片制造主要依靠DUV深紫外光刻。

这句话有两层含义，我们分开看，不要过度解读，也不要忽视背后的信息。

第一，EUV的重要性毋庸置疑。如果目标是传统几何缩微路线下的最先进制程芯片，EUV光刻设备是绕不开的核心装备。这一点行业内早已形成共识，余承东的表述，是客观承认这套设备在先进芯片制造链条里的地位。

第二，国内正在研发，不等于短期内就能商用量产。这是很多网友最容易产生误解的地方。研发是一个漫长的过程，从实验室原理验证、核心部件攻关，到原型机搭建、工艺调试，再到产线稳定量产，中间还有很长的技术攻关周期。现阶段国内芯片工厂，主力生产设备依旧是DUV光刻机，依靠DUV加上多重曝光、先进封装等配套技术，完成大量芯片的生产。

同时，他也提到了逻辑折叠（LogicFolding）技术。在EUV设备获取受限的背景下，这套技术配合韬定律，是另一条提升芯片性能的路径。简单理解，不一定非要无限缩小晶体管尺寸，通过系统层面的优化、电路逻辑重构，压缩信号传输延迟，在现有制程基础上，提升晶体管密度与芯片综合性能，弥补传统制程上的限制。

余承东也提到，一颗手机芯片里，并不是所有模块都需要最顶尖的先进制程。很多外围电路、电源管理、接口芯片，成熟制程完全可以满足需求。华为采用系统工程思路，不只是盯着单颗主芯片，而是整体优化整套硬件，以此提升整机性能。这也是在现有供应链条件下，务实的技术方案。

三、EUV研发到底难在哪？不是单一零件，是整条产业链的挑战

不少网友以为，EUV的难点只在光源，其实光源只是众多关卡里的一环。整套设备，每一个子系统都是硬骨头。

首先是超高精度光学反射镜。EUV光线不能使用传统透镜，只能依靠反射镜反射光路。镜面需要做到极致光滑，表面凹凸误差要控制在零点几个纳米级别，多层反射膜的镀膜工艺、材料配方，都需要长期积累。一点点微小形变或者杂质，就会造成光路偏差，光刻图案直接报废。

其次是工件台系统。承载硅片的工作台，需要在高速移动的同时，定位精度控制在亚纳米级别。曝光过程中，晶圆在移动，光路同步扫描，运动控制、磁悬浮、实时测量，整套系统对机械、测控要求达到工业极限。

还有配套的真空系统、锡滴发生系统、超高洁净环境、光刻胶、检测设备等。一台EUV设备，需要全球数百家供应商提供零部件，涉及大量特种材料、精密加工工艺。想要自主研发EUV，不只是造一台机器，而是带动一整条全新的国产零部件、材料、检测产业链同步成长。

国内科研院所多年前就已经启动EUV相关关键技术研究，在光学系统、光源、工件台等多个单元技术上取得阶段性成果。但单元部件突破，和整合为一台稳定、可量产的整机设备，完全是两个阶段。单元技术验证成功，代表我们具备基础研究能力，但距离放到工厂产线上连续稳定生产芯片，仍有大量工程化难题需要解决。

四、DUV不是过渡备胎，成熟制程同样具备巨大价值

很多人一提到芯片，就只盯着EUV和几纳米先进制程，容易低估DUV深紫外光刻的作用。

DUV光刻机技术成熟，经过多年迭代，配合多重曝光工艺，可以稳定生产成熟制程芯片。手机里很多辅助芯片、汽车芯片、工业控制芯片、电源芯片、存储相关芯片，并不需要极致先进制程。在新能源车、工控、物联网、家电等海量场景，成熟制程芯片的市场需求量非常大。

换句话说，芯片产业不是只有一条“追求极致小尺寸”的赛道。成熟制程芯片，是数字工业、智能硬件的基础底座。国内现阶段持续打磨DUV相关工艺、配套材料与设备，一方面可以满足当下大量产业需求，另一方面，DUV产业链积累的光学、精密机械、光刻工艺经验，也能为EUV后续研发提供人才和工程经验积累。

而逻辑折叠、先进封装这类技术，属于系统层面的创新。它跳出单纯缩小晶体管的传统思路，通过芯片堆叠、电路重构、系统优化，在现有制程基础上挖掘性能上限。这也是半导体行业的另一个发展方向，不单纯依赖EUV设备来提升芯片综合能力。两种路线并行，是更稳妥的选择。

五、理性看待国产EUV研发：不盲目乐观，也不必悲观

每次EUV相关消息出来，网上很容易出现两种极端声音。一类观点认为，只要启动研发，很快就能造出商用EUV，问题一次性全部解决；另一类则觉得难度太高，短期内看不到希望，直接否定所有进展。客观来看，这两种看法都不够理性。

半导体高端设备研发，是一个长周期、高投入、试错成本极高的工程。它不是实验室里做出原型就大功告成，还要长期验证设备稳定性、良率、维护成本，还要建立配套耗材、零部件供应链。每一步都需要大量工程迭代，不可能一蹴而就。

但同时也要看到，国内拥有完整的工业体系，大量科研院所、企业持续投入半导体设备、材料攻关。很多细分零部件，近些年持续取得突破。EUV研发是一个长期工程，现阶段的重点是持续攻关关键技术，补齐产业链短板，一步一步推进。

半导体产业本身就是全球化分工的产物，技术突破是循序渐进的过程。我们既要正视当前和国际顶尖水平之间存在的差距，也要看到国内科研团队持续推进的成果。芯片产业链，是由设备、材料、设计、制造、封测等无数环节组成，EUV只是其中关键一环，并非全部。

六、落到普通用户：EUV研发，和我们日常手机数码有什么关联？

很多普通数码爱好者会疑惑，EUV离普通人是不是太远？其实它和我们日常使用的手机、平板、汽车、智能设备息息相关。

EUV对应的先进制程芯片，能够带来更强算力、更低功耗，AI运算、大型游戏、影像处理都能获得更好的体验。但这并不代表，没有EUV，数码产品就无法迭代。就像前面所说，依靠DUV工艺、逻辑折叠、先进封装等技术，同样可以持续优化芯片性能，推出体验优秀的消费电子产品。

对于普通消费者来说，不用坐等EUV落地再换新设备。现阶段的手机、平板、智能汽车芯片，依托成熟制程和系统优化，完全可以满足绝大多数人的日常使用。而EUV设备研发的意义，更多在于保障国内半导体产业链长期自主可控，为未来高端芯片发展储备技术能力。

余承东本次的表态，客观说明了EUV在先进芯片制造中的核心地位，也如实说明了国内目前所处的阶段：研发工作已经开展，但现阶段生产主力依旧是DUV设备，同时依托逻辑折叠等创新技术，从系统层面提升芯片性能。

半导体设备攻关，从来不是短跑冲刺，而是一场漫长的马拉松。核心设备、材料的突破，需要一代又一代科研人员持续投入，产业链需要一点点补齐短板。既要保持耐心，理性看待技术攻关的周期，也要看见国内半导体产业持续向前的脚步。

你觉得EUV设备研发，最大的卡点是光源还是光学系统？你认为未来几年，DUV配套技术，还能在多大程度上继续挖掘芯片性能？欢迎在评论区聊聊你的看法。

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