北京
国家知识产权局信息显示，无锡卓睿微电子技术有限公司申请一项名为“一种超突变变容二极管及其制备方法”的专利，公开号CN122871648A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体提供了一种超突变变容二极管及其制备方法，所述超突变变容二极管包括N+型硅衬底、N‑型外延层、N型外延层、P型掺杂多晶硅、一次淀积氧化层、正面金属电极、二次淀积氧化层、氮化硅层、背面金属电极；所述制备方法包括制备衬底及外延层、制备并刻蚀掩膜、刻蚀沟槽、填充掺杂多晶硅并热扩散形成PN结、制备正面金属电极、制备钝化层并进行PAD开孔、背面减薄并制备背面金属电极；本发明以原位掺杂硼的多晶硅填充后经热扩散形成沿沟槽侧壁和底部的三维PN结，能够在有限芯片面积内大幅增加有效结面积、提高零偏结电容，同时利用沟槽侧壁扩散获得更陡峭的杂质浓度梯度，显著提升电容变化比和品质因数。
天眼查资料显示，无锡卓睿微电子技术有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡卓睿微电子技术有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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