北京
国家知识产权局信息显示，深圳市创世飞达科技有限公司申请一项名为“一种基于坏块空间扩散动力学模型的NAND闪存可靠性管理方法及系统”的专利，公开号CN122861684A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于坏块空间扩散动力学模型的NAND闪存可靠性管理方法及系统，属于半导体存储器可靠性管理技术领域。该方法以已确认坏块为扩散源，利用Block间加权物理距离、随结温按阿伦尼乌斯关系变化的扩散衰减长度、温度变化率驱动项和磨损易感性函数建立坏块空间扩散概率模型，为每个Block计算实时风险评分，并据此划分安全区、警戒区和危险区，分别执行常规检测、加密检测与写入限制、预防性迁移和预隔离；再配合温度冲击防护与模型参数在线校准，使坏块管理由事后替换转为提前处置，可提高高温及温度冲击工况下的数据可靠性，并降低检测带宽开销。
天眼查资料显示，深圳市创世飞达科技有限公司，成立于2013年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1120万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市创世飞达科技有限公司财产线索方面有商标信息46条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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