内存还要涨价3-4年！韩国权威专家：中国技术已经追上了我们了

“抛开经济性或良率不谈，纯粹从技术角度来看，中国制造商不再是追随者，而是竞争者。”

近日，TechInsights半导体事业部高级副总裁崔正东（Jeongdong Choe）接受韩媒采访时表示，内存涨价热潮将持续3-4年，中国的技术追赶是关键变量。他认为，应该将中国视为竞争对手，而不是追随者。

在崔正东看来，尽管全球存储厂商正积极扩产，但AI数据中心带动的需求增长迅猛，可预见的未来内供需缺口仍将持续。

而中国存储厂商的快速技术追赶，是影响行业格局的关键变量。长鑫存储（CXMT）通过跳代工艺持续缩小技术差距；长江存储（YMTC）则在NAND闪存领域，实现了多项先进技术的商业化落地，进度领先行业头部厂商。

随着中国企业同步推进产能扩张，中长期存储市场的竞争将逐步加剧。

崔正东表示：“若当前存储需求为100，实际供应能力仅约85。尽管价格可能出现小幅波动，但高位价格水平将持续，支撑行业景气度延续3-4年。”

预计供应短缺将从2027年第三、第四季度开始逐步缓解。崔正东预计，到明年供应水平将达到需求的 90%-95%。而均衡市场通常需要供应超出需求的2%-3%，因此卖方市场格局大概率仍将延续。

“AI存储需求的增速不再是历史上的1.2倍或1.4倍，短期内直接飙升至4-6倍，” 崔正东指出，“每家厂商仅新建一两座晶圆厂，根本不足以满足这一需求。”

随着DRAM微缩逼近物理极限，中国厂商正在不断缩小技术差距。

长鑫存储近期正式宣布，已量产第五代（G5）DRAM内存技术。

据芯硬件了解，长鑫内部的DRAM技术代际划分为G1、G3、G4、G5。

其中，G1对应19nm 级，G3对应18nm级，G4对应16nm级。G5则将关键微缩指标有源区半节距（AA half-pitch）缩小至11.95nm，也就是12nm级。

“长鑫G5最初的内部路线图目标是14nm级，但近期产品披露显示已微缩至12-13nm 级，” 崔正东分析称，“即便不使用极紫外（EUV）光刻设备，通过基于深紫外（DUV）的双重曝光（DPT）或四重曝光（QPT）技术，也能实现这一微缩水平。”

他补充道：“尽管运行特性、单元尺寸、芯片面积仍需进一步验证，但如果其官宣属实，长鑫相当于又跨越了 1-2 代工艺。”

在NAND闪存领域，中国的技术追赶速度更快。长江存储率先实现了基于混合键合的Xtacking架构商业化，将 NAND单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造后再键合，同时还应用了 “无阶梯（Stair-Free）” 架构，最大限度降低了高堆叠NAND的外围电路面积开销。

“抛开经济性与良率不谈，纯从技术角度看，中国厂商已不再是跟随者，他们是竞争者，” 崔正东强调，“随着DRAM和NAND领域的技术差距迅速缩小，中国企业的技术能力值得密切关注。”

芯硬件注：崔正东（Jeongdong Choe）是TechInsights的高级技术研究员（Senior Technical Fellow）。他拥有电子工程博士学位和超过28年的半导体行业经验，曾长期任职于SK海力士和三星电子 。 他专注于半导体工艺、器件和架构的技术分析，在DRAM、NAND/NOR闪存、SRAM/逻辑及新兴存储器领域具有专长。他提出了“如果没有存储，就没有AI”的观点以及存储器“超级周期”的概念 ，并定期撰写技术文章、发布和更新全球存储器技术路线图。

以下是采访问答：

Q：好久不见。今天我们邀请到了TechInsights的崔正东博士，欢迎您。

A：您好，很高兴再次做客。

Q：近期存储市场迎来非常景气的繁荣期。尽管下游市场存在一些争议，但AI投资热度依旧高涨。我们先从下游市场聊起。从历史上看，智能手机一直是内存的最大市场。如今，向AI领域的转变是否已成定局？

A：超过50%的存储需求已经转向AI领域。

Q：除了存储，功率半导体等元器件也在向AI和服务器领域倾斜。您如何看待当前的下游市场？目前存在两种对立观点：一方认为应当放缓发展速度，另一方主张在管控风险的同时继续激进投入，这些争议也直接影响了股价表现。

A：市场需求正在急剧飙升，尤其是数据中心与AI领域。消费者和企业对ChatGPT等服务以及云基础设施的使用量正呈指数级逐日增长。内存需求已达到供不应求的程度，导致AI服务商纷纷限制会话时长或上调价格。

此外，随着智能体AI、高级推理、物理AI等形态兴起，数据处理需求持续超预期地增长。由于数据中心的内存需求无法满足，传统内存库存已被耗尽，DDR、LPDDR、HBM全品类内存的价格涨幅均超过80%。

如今的现实是，即便生产设施100%满负荷运转，市场仍处于供给不足状态。DRAM供应缺口约为10%-12%，NAND也面临类似缺口，这一局面还将持续一段时间。

Q：也就是说需求为100的话，供应仅在85%左右？

A：当前供应仅能满足约85%的需求。这种短缺无法在3-6 个月内解决，由于过去两三年行业低迷时期资本支出 受到严重限制，新建产能从投资到落地产出，至少还需要1.5-2年时间。

因此许多分析师预计，未来两年左右，数据中心及通用内存领域的价格都将维持高位。

此外，AI训练大量使用的HBM内存在过去一年价格始终居高不下，SK海力士等厂商已经将常规DRAM产能分配给HBM生产，进一步加剧了标准DDR和LPDDR内存的短缺。

简而言之，需求依然巨大，供给端无法完全满足，这种情况在可预见的未来仍将持续。

Q：部分研究机构预测，这轮内存超级周期可能延续至2030或2031年。

A：价格走势与实际供给需要分开看待。虽然价格可能出现波动，但整体将稳定在远高于此前的水平，支撑行业在未来3-4年保持景气环境。目前在建晶圆厂的产能将在大约在1年后投放市场，可能引发价格小幅回调，但由于价格基数仍然很高，行业盈利能力将保持稳健。

Q：您如何看待需求端的变化？像Anthropic、OpenAI等大模型厂商技术迭代非常快，有人主张放缓节奏；黄仁勋等行业人士与政策制定者则认为，应当在管控风险的同时持续投入。您如何评估需求端的发展态势？

A：我完全认同黄仁勋的观点。呼吁放缓发展的声音主要来自OpenAI等，其担忧很大程度上源于AI向具备自主决策能力的智能体、物理形态演进过程中可能存在的风险。

这些问题应当通过监管与制度框架来解决。历史上人类对技术进步与便利的需求不断增长，这种需求无法人为叫停。正如社会不会从铁器时代倒退回石器时代一样，技术进步将在更完善的治理下持续推进，无需人为放慢发展节奏。

Q：有批评者指出，AI数据中心虽能创造营收，但需要持续的天文数字资本投入，这引发了人们对其可持续性的担忧。此外，后进厂商认为，头部企业呼吁监管放缓发展的本质是 “拉梯子” 的行为。行业能否支撑这样的投资规模？

A：全球范围内，包括美国和韩国在内的各个国家，其股市估值、私人投资者、政府举措都在积极支持AI基础设施建设。由于AI基础设施已被各国列为国家优先级战略，因此资本投资支持很可能将继续与这些扩张计划保持一致。

Q：从供应端来看，过去三年存储厂商普遍没有激进投资，但如今正加速扩产。韩国本土厂商计划到2030年将晶圆投入量翻一番。美光、三星、SK 海力士、铠侠的资本支出情况如何？

A：资本开支强度极高，已接近营收的30%-40%。我近期参观了美光博伊西工厂，两座大型晶圆厂正在快速建设中。三星和SK海力士也正在扩产，比如SK海力士在龙仁的半导体集群，以及通过Solidigm大连工厂扩大固态硬盘产能，同时还在评估美国建厂的可能。此外，铠侠也在扩产。

除了欧美韩厂商，中国厂商同样值得关注。在自主可控的政策支持下，长鑫存储与长江存储正积极扩建晶圆厂以提升本土内存产能。长鑫计划将市场份额从12%-13%提升至 20%-25%，在上海、北京布局多座晶圆厂；长江存储则在武汉扩产。

全球存储资本开支加速始于约两年前，这意味着早期产能将在明年下半年开始释放，对市场供给产生影响。后续产能落地还需要3-4年，但强劲的AI需求将消化这些新增产能，短期内不会出现结构性供过于求。5-6年后可能重现供给过剩引发的行业下行，但这属于长期风险，目前不会影响短期市场展望。

Q：您预计当前供需失衡（供应仅满足85%需求）何时能缓解至95%左右？

A：到明年第三、第四季度，供应应该能达到需求的90%-95%。

Q：90%-95%是否属于市场均衡水平？

A：90%-95%一般属于正常的运营状况。但由于积压订单持续存在，市场紧张状态可能再延续1-2个季度，从而使价格在明年保持坚挺。

Q：未来几年晶圆产能将持续增加，如果需求为100，供应达到100，是否就算达到平衡？

A：即使供应量达到需求的100%，技术上来说仍然供不应求，真正的均衡需要供应量达到需求的102%至103%。

但核心问题在于，厂商能否在2-3年内让供应达到100%的需求。AI内存需求，尤其是HBM的需求，并非线性增长，而是呈指数级增长。短期内将增长4至6倍，而历史平均年增长率仅为1.2至1.4倍。每家公司新建一两座晶圆厂不足以满足这种需求变化。

Q：存储厂商与核心客户之间的长期供应协议（LTA）似乎越来越普遍，这类协议会如何影响存储周期？

A：长期供应协议有积极作用。历史上，短期季度合同模式容易引发订单突然取消或重复预订，导致价格剧烈波动。多年期长期协议能够稳定价格，保障客户获得可预期的供应，也让存储厂商能够更高效地规划生产排期。

Q：哪些层级的客户在签订这类长期供应协议？

A：主流AI芯片设计厂商与头部云厂商，都在签订这类多年期协议。

Q：韩国存储厂商今明两年盈利表现预计强劲，您认为明年营业利润率还会进一步提升吗？

A：由于供应短缺持续，明年营业利润率将维持当前水平，或小幅提升。但不同产品线表现分化，比如HBM、通用DRAM、企业级SSD差异明显。

以HBM3E为例，SK海力士市占率超过70%，三星约12%-15%，美光约10%。这一格局可能会持续到今年年底或明年年初。

即便HBM4在2026年底或2027年初推出，2027年上半年HBM3E仍将是主力出货产品，支撑SK海力士的领先优势。

明年下半年，随着HBM4渗透率提升，三星市占率可能升至25%-30%。三星正大力投资HBM4E的研发，目标客户包括英伟达和超大规模数据中心。因此，SK海力士将在明年继续保持HBM领域的领先地位，而竞争格局到2028年可能会发生变化

Q：占据市场领先地位，在商业上意味着什么？

A：在供不应求的市场中，领先地位意味着定价权与产能分配权。过去两年SK海力士占据这一位置，明年大概率仍将保持；但到2028年左右，三星可能重新获得战略主动权。

Q：您如何看待美光当前在存储与HBM领域的定位？

A：与三星类似，美光同样从标准DDR5和LPDDR5涨价中大幅受益，但其HBM出货量相对有限。

此外，SK海力士已与台积电紧密合作生产芯片，三星则利用自身晶圆厂生产先进逻辑芯片。美光的处境更复杂，尽管HBM3E和部分HBM4产品的芯片由自研生产，但先进节点最终仍需依赖台积电。而台积电晶圆厂产能分配紧张，确保足够的芯片产能对美光而言是一个运营上的挑战。

Q：当前韩国、美国、中国内存厂商的技术能力对比如何？

A：在DRAM领域，韩国和美国厂商之间的工艺差距已基本缩小。在10nm后期节点，美光还落后近一代，但到13nm、12nm和11nm节点，三星、SK海力士、美光的单元尺寸、特征尺寸、设计规则几乎完全一致，差距不到0.1nm。从第五代10nm级节点开始（韩系称1b、美光称1β），三大厂商都已普及DUV/EUV光刻与高 K 金属栅极（HKMG）技术。

这种技术趋同让后来者得以快速缩小差距。值得注意的是，中国长鑫存储即便没有EUV光刻设备，也实现了与头部三大厂商同等水平的先进技术。目前长鑫的量产主力是 1z（G3）节点，但其最新发布的G5工艺平台，无需EUV，仅通过DUV双重曝光或四重曝光技术就实现了12-13nm级微缩，相当于跨越了1-2代工艺。

NAND闪存领域，长江存储在多项架构创新上处于领先。它是首家实现混合键合技术商业化的厂商，其 Xtacking架构如今已被铠侠、三星、SK海力士纷纷效仿。长江存储还率先量产2TB QLC NAND颗粒，并将 “无阶梯（Stair-Free）” 接触结构应用于超高堆叠NAND，以降低外围电路开销。纯从技术角度看，长江存储已是直接的竞争对手，而非落后的跟随者。

Q：激烈的供给竞争是否会在未来引发新一轮存储价格战？

A：传统价格战不太可能出现，因为AI内存架构正呈现高度分层的特点。需求从HBM延伸至企业级SSD、CXL内存模组、GDDR，以及高带宽闪存（HBF）等高密度NAND方案。AI工作负载在训练、推理、智能体系统中需要多样、专用的存储层级，不断扩大的市场需求将消化全球增长的供给。

Q：您如何看待地缘政治压力推动存储厂商在美国建厂的趋势？

A：美国政策鼓励本土半导体晶圆厂建设，这给全球供应商带来了压力。然而，海外晶圆厂建设需要更高的资本投入、更长的建设周期（通常是韩国的两倍）以及巨大的劳动力成本差异。即便有政府补贴，厂商也很难完全抵消这些成本差距。