北京
IT时代网10月5日消息，在组建联合微电子公司的框架下，俄罗斯计划新建三座芯片工厂，其中一座是面向300mm晶圆、按14nm工艺生产芯片的前瞻量产工厂。
按照投资进度表，2027年将启动这座300mm工厂的前期设计并论证14nm基础工艺方案，前期准备持续两年，2029年完成，工厂建设本身将在2036年前完工。三座工厂分工明确：300mm晶圆厂负责在硅晶圆上直接制造芯片，模块工厂负责将芯片封装组装成电源、显示、导航等成品部件，OSAT工厂则负责封装基板和模块基板生产。最先建成的是模块工厂，计划2028年第三至第四季度投产，OSAT工厂计划2031年建成。
投资规模方面，到2036年总投资将达1.101万亿卢布，约合人民币870亿元，其中1.031万亿卢布用于生产投资，500亿卢布用于设计，200亿卢布用于设立突破性技术基金。资金由政府和俄罗斯联邦储蓄银行共同承担，2027年计划投入1700亿卢布，2028至2031年再投入约5270亿卢布。
一座14nm 300mm晶圆厂的造价约在100亿美元量级，但真正的瓶颈不在资金而在设备。受访专家指出，能够支持28至14nm工艺的光刻机获取是最大难点。俄罗斯此前公布的微电子路线图显示，计划2026年实现65nm量产、2027年突破28nm、2030年攻克14nm，而战略文件中2036年的工厂完工时间，与路线图中2030年攻克14nm的目标之间存在明显落差。
注：本文中包含AI辅助创作的内容。
编辑：林一舟
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