北京
国家知识产权局信息显示，成都星拓微电子科技股份有限公司、星拓微（上海）电子有限公司申请一项名为“一种EOS过压保护电路与供电电路及电子设备”的专利，公开号CN122869236A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本发明提出一种EOS过压保护电路与供电电路及电子设备，采样单元对输入电源进行采样，并将采样电压传输给判决单元；判决单元采样电压生成判决信号，以控制主路PMOS管进行状态切换；栅源电压控制单元在EOS来袭时，对主路PMOS管的栅源电压进行钳位，以使主路PMOS管处于截止状态。栅源电压控制单元在EOS来袭时，对主路PMOS管的栅源电压进行钳位，以使主路PMOS管处于截止状态，可以实现微妙级的EOS过压保护响应，避免输入电源电压的EOS冲击传递到下一级被保护电路。
天眼查资料显示，成都星拓微电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本32053.6252万人民币。通过天眼查大数据分析，成都星拓微电子科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可3个。
星拓微（上海）电子有限公司，成立于2026年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，星拓微（上海）电子有限公司专利信息5条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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