北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN122871671A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种MOSFET及其制备方法，制备方法包括：执行干氧氧化工艺，以在所述硅衬底的表面形成第一氧化层；执行湿氧氧化工艺，以在所述硅衬底中形成第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第二氧化层；执行高温退火工艺，熔合所述第一氧化层和所述第二氧化层，以形成栅氧化层，栅氧化层的厚度为55Å~65Å；形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述栅氧化层；执行光刻与刻蚀工艺，依次刻蚀所述多晶硅层和所述栅氧化层，形成栅极堆叠层；在所述栅极堆叠层的侧壁上形成侧墙；形成金属硅化物，所述金属硅化物形成于所述栅极堆叠层上所述多晶硅层的顶面以及两侧的所述硅衬底上。如此，能够提高栅氧化层的质量、提高栅氧化层的形成效率以及提高TDDB时效。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2114次，专利信息2950条，此外企业还拥有行政许可552个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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