北京
国家知识产权局信息显示，武汉昱光传感科技有限公司申请一项名为“半导体挠曲电系数测量方法、装置、设备和存储介质”的专利，公开号CN122860045A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请提出了一种半导体挠曲电系数测量方法、装置、设备和存储介质，涉及半导体挠曲电系数测量技术领域，包括：在半导体样品放入测试系统，且在光学显微镜中找到待测试的样品区域后，控制导电探针针对样品区域上的各像素点完成完整的周期性接触和分离运动，同步获取导电探针与半导体样品间产生的时域电流信息；从各像素点对应的时域电流信息提取并记录关键特征参数，并基于关键特征参数确定半导体样品表面的二维平均电流分布图，基于分布图确定平面挠曲电极化场电荷量分布，并结合针尖和半导体样品的赫兹接触模型确定半导体样品的二维有效挠曲电系数空间分布。本申请可以实现半导体表面亚微米尺度下有效挠曲电系数的测量与空间分布表征。
天眼查资料显示，武汉昱光传感科技有限公司，成立于2024年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉昱光传感科技有限公司专利信息7条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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