北京
国家知识产权局信息显示，浙江力积存储科技股份有限公司申请一项名为“DRAM片内ECC矩阵并行测试方法、装置、设备和介质”的专利，公开号CN122867761A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本公开实施例提供的DRAM片内ECC矩阵并行测试方法、装置、设备和介质，包括：确定各个存储阵列单元的特征校验位；生成初始延迟控制信号至各存储阵列单元所对应的可调延迟单元；向各存储阵列单元写入相同的测试数据，并通过全局测试总线并行获取各存储阵列单元在写阶段生成的特征校验位的第一校验值；通过全局测试总线并行获取各存储阵列单元在读阶段的特征校验位的第二校验值，在各存储阵列单元的特征校验位的第一校验值与第二校验值相同时，以初始延迟控制信号为基础，逐步减小生成至各存储阵列单元所对应的可调延迟单元的延迟控制信号，直至确定各存储阵列单元对应的目标延迟控制信号。降低了DRAM芯片整体功耗。
天眼查资料显示，浙江力积存储科技股份有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江力积存储科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息115条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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