北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存器件的制造方法”的专利，公开号CN122871629A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构以定义出闪存器件区的有源区；去除所述有源区和所述浅沟槽隔离结构上预定区域的第一硬掩膜层，在所述有源区内形成第一沟槽，在所述浅沟槽隔离结构上形成第二沟槽；形成第二控制栅层；去除预定区域内所述第二沟槽底部的所述第二控制栅层和第一控制栅层，以及所述第二沟槽侧壁的第二控制栅层；形成侧墙介质层；形成L形控制栅，同时在所述第二沟槽侧壁形成控制栅侧墙。本申请解决了相关技术中NOR闪存控制栅电阻偏大，导致读写擦操作时RC延迟偏高影响存储阵列读取速度的问题。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2209条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目951次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7972条，此外企业还拥有行政许可444个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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