北京
国家知识产权局信息显示，湖南创一电子科技股份有限公司申请一项名为“一种具备高效EMC抗干挠能力的芯片电感”的专利，公开号CN122868291A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种具备高效EMC抗干挠能力的芯片电感，属于电感技术领域，它包括有本体、绝缘铜导体线圈与电极，所述绝缘铜导体线圈为U形或类U形，并完全包覆在所述本体内；所述电极全部设置在所述本体底部，所述绝缘铜导体线圈两端端部直接从所述电极引出并平贴于所述电极表面，取消传统侧面出线结构。本体采用合金复合材料一体压制形成全封闭磁路，可搭配多组并列/嵌套设置的绝缘铜导体线圈绕组以及内置中柱。本发明从结构设计源头抑制漏磁与电磁干扰，EMC抗干扰性能优异；同时绝缘铜导体线圈绕组大幅提升大电流承载能力、降低高频损耗，适应小型化、高集成等算力模组应用，广泛适用于高端服务器、AI算力设备。
天眼查资料显示，湖南创一电子科技股份有限公司，成立于2009年，位于娄底市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南创一电子科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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