北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅晶体管的外延缺陷的分析方法”的专利，公开号CN122860034A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供了一种碳化硅晶体管的外延缺陷的分析方法，涉及半导体领域，旨在改善外延缺陷分析，从而实现器件级别的分析，并且将外延缺陷与器件失效相关联。该分析方法包括对第一碳化硅晶体管施加第一测试电流，使第一碳化硅晶体管失效。第一测试电流为脉冲电流。对第一碳化硅晶体管进行失效分析，以确定外延缺陷的位置和类型。上述的分析方法不仅实现了对器件的失效分析，还能基于外延缺陷的位置和类型，分析器件失效的机理。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33997.7041万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息290条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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