北京
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国家知识产权局信息显示，武汉四方创芯科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN122871627A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制造方法、存储系统。半导体器件包括字线层以及一个或多个字线选择器。字线层包括沿第一方向延伸的字线。一个或多个字线选择器沿第二方向位于字线层的一侧，包括沿第二方向延伸的选择沟道结构；选择沟道结构沿第二方向的一端与对应的一条字线连接；其中，第一方向与第二方向相交。
天眼查资料显示，武汉四方创芯科技有限责任公司，成立于2024年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉四方创芯科技有限责任公司财产线索方面有商标信息15条，专利信息17条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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