北京
国家知识产权局信息显示，北京芯斯为科技有限公司申请一项名为“基于横向存储单元的存储器件及其制造方法”的专利，公开号CN122871630A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，公开了一种基于横向存储单元的存储器件及其制造方法。根据实施例，该存储器件可以包括：竖直地叠置在衬底上的一个或多个单元有源层，每个单元有源层包括沿第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相对的第一源/漏区和第二源/漏区；相对于衬底竖直延伸以穿过该一个或多个单元有源层的栅堆叠。栅堆叠包括栅导体层和设置在栅导体层与该一个或多个单元有源层中各单元有源层之间的存储功能层。在栅堆叠与各单元有源层相交之处限定存储单元。栅堆叠从第一源/漏区与第二源/漏区之间穿过单元有源层。
天眼查资料显示，北京芯斯为科技有限公司，成立于2025年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本353.9万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯斯为科技有限公司财产线索方面有商标信息5条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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