北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统和电子系统”的专利，公开号CN122871637A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统和电子系统，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括叠层结构和沟道结构；叠层结构包括沿第一方向交替排列的多个栅极层和多个介质层；沟道结构包括沟道层和存储层；其中，存储层包括阻挡层，阻挡层包括沿第一方向交替排列的第一氧化物层和铁电材料层，第一氧化物层与栅极层相对，铁电材料层与介质层相对。基于此，有利于降低半导体器件的操作电压，提高半导体器件的存储速度，降低半导体器件的能耗，提高半导体器件的整体性能，还能够提高存储层俘获的电荷的数量，增大半导体器件的存储窗口。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1497次，财产线索方面有商标信息1034条，专利信息6299条，此外企业还拥有行政许可1243个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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