北京
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置的读取方法及其存储器装置”的专利，公开号CN122867760A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种存储器装置的读取方法及其存储器装置。存储器装置可为具备高容量及高性能的立体NAND闪存。读取方法包括：当根据第一页的第一数据而进行的错误校正操作失败时，执行相邻数据修复操作。相邻数据修复操作包括：在第一字线上执行第一读取操作，以获得第一页的第一阈值电压状态；在至少一个第二字线上执行第二读取操作，以获得至少一个第二页的至少一个第二阈值电压状态；以及，根据第一页的第一阈值电压状态以及第二页的第二阈值电压状态来修正对应于第一页的第一数据。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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