北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法”的专利，公开号CN122872095A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本申请提供离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法。离子注入方法包括对用于对晶圆进行离子注入的离子束进行束流调谐，使离子束的束流值满足预设的束流值条件；在束流值满足束流值条件的情况下，获取离子束的束流密度；在束流密度未落入预设的密度允许范围的情况下，对离子束进行束流高度调节，使束流密度落入密度允许范围；束流高度调节包括确定密度允许范围内的束流密度目标值，根据离子束的束流值、束流宽度和束流密度目标值确定束流高度目标值，并根据束流高度目标值调节离子束的束流高度；在束流密度落入密度允许范围的情况下，利用离子束对晶圆进行离子注入。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目13次，专利信息1668条，此外企业还拥有行政许可24个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
