北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“双向非对称SCR结构ESD器件及其制备方法”的专利，公开号CN122871723A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种双向非对称SCR结构ESD器件及其制备方法。该器件包括具有第一导电类型的衬底；设置于所述衬底中的第一阱区、第二阱区和第三阱区，所述第二阱区与所述第一阱区具有预设间距，且与所述第三阱区相邻接；横跨设置于所述第二阱区与所述第三阱区交界处的第五重掺杂区；以及设置于各阱区中并分别连接第一端口和第二端口的重掺杂区。本发明将高低压防护集成于单一器件，满足正向耐高压、负向耐低压的双向非对称防护需求，大幅减小了版图面积，降低了寄生效应，提升了信号完整性，且可通过调整间距和掺杂灵活调节击穿电压。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2208条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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