北京
国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“NMOS高介电常数金属栅与PMOS高介电常数金属栅的制造方法”的专利，公开号CN122871714A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种NMOS高介电常数金属栅与PMOS高介电常数金属栅的制造方法，在HKMG N/P分区制程中，先对栅极叠层区的NMOS栅区的伪栅多晶硅进行B注入和能量控制,再利用刻蚀剂对B掺杂的伪栅多晶硅的高选择比进行湿法刻蚀，去除栅极叠层区的PMOS栅区的伪栅多晶硅,在形成PMOS金属栅结构之后，再干法刻蚀去除栅极叠层区的NMOS栅区的B掺杂伪栅多晶硅。该制造方法，在实现NFET与PFET分区的过程中，可以避免造成NMOS栅区的伪栅多晶硅侧掏，得到栅极叠层区的NMOS栅区的B掺杂伪栅多晶硅垂直的侧壁，从而能优化NFET与PFET界面的形貌，提高器件的电性能。
天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2328858.310898万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目191次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可133个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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