北京
分享至
国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN122871641A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件。根据本公开的实施例，半导体器件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的介电层。介电层包括：第一铁电层；第二铁电层，其设置在第一铁电层与第二电极之间且具有与第一铁电层的畴不同的畴；和畴分离层，其设置在第一铁电层与第二铁电层之间，且包含第一掺杂剂和金属元素。第一掺杂剂包含价态与金属元素的价态不同的金属阳离子。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
