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从造船到半导体,韩国专家早已发现:中国已在核心技术上全面超越

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几十年来,韩国人手里一直攥着两张王牌:造船和芯片。可到了2026年,韩国国策研究机构的专家做完调查后不得不承认,中国在多数先进制造业的竞争力上已经超过韩国。

2025年,中国造船完工量占全球56.1%,新接订单占69.0%,靠着从原材料到整船制造的完整体系直接改写了牌局。

更让三星和SK海力士坐不住的是,2026年9月,长鑫存储宣布第五代DRAM技术G5平台实现量产,在韩国最引以为傲的存储芯片腹地撕开了口子。工业比拼讲究的是整个产业链和39262亿元研发投入的深厚底子。

要真正读懂这场从造船延伸到半导体的格局巨变,还得把时间线拉长,从更深层的底层技术与产业生态角度展开这个话题。回看早些年关于半导体产业的深度探讨,许多关于核心技术演进的客观分析,早已为如今的全面超越埋下了伏笔。



国内芯片产业当前面临的挑战,可以分为几个方面。第一是制造层面的难题,现在讨论行业话题,光刻、EUV 极紫外这类术语,已经不需要过多解释,很多受众都有基础认知。

当前光刻工艺已经进入极紫外光阶段,极紫外光的波长仅有 13.5 纳米。波长越小,能够加工得到的芯片特征尺寸就越小。

上一代使用的深紫外光,波长为 245 纳米,二者波长相差几十倍,加工精度得到巨大提升。想要继续缩短波长、提升工艺难度会变得十分困难。

当波长缩短到十纳米以下,就进入 X 射线范畴。X 射线在空气中很容易被吸收,这是光刻技术面临的一大困境。



行业也存在备选技术路线,比如电子束刻蚀。电子束同样可以完成刻蚀工作,但加工速度很慢。

光刻可以一次性通过光束,完成整片晶圆的图案加工。电子束则需要逐颗芯片、逐根线路进行加工,生产效率极低。

除了制造工艺,韩国专家敏锐地意识到,半导体核心技术的较量还受到物理极限的严格制约。第二大挑战来自物理极限。

就算未来能够制造出尺寸更小的晶体管,做到一纳米、零点五纳米甚至更小,这类极小尺寸晶体管能否正常工作,依旧存疑。晶体管本身的工作原理,正在遭遇物理层面的挑战。



当晶体管的栅长缩小到七纳米以下,会出现无法正常关断的问题。可以类比家里墙上的电灯开关,正常开关可以控制灯泡亮灭。

但缩小到这个尺寸之后,开关无法彻底关闭,灯泡会一直处于点亮状态。晶体管无法区分 0 和 1 两种信号,也就无法完成计算,晶体管原理失效,计算功能随之失效。

面对这类物理层面的限制,行业需要寻找全新的半导体材料,研发全新的晶体管工作机制。之前提到的隧穿效应器件,或是借鉴人脑神经元设计的新型器件,都属于这个方向的探索,这些都属于基础物理原理层面需要攻克的难题。

在攻克这些半导体核心技术的道路上,中国产业界又是如何规避风险并构建长远优势的呢?还有一类问题,是目前还没有被充分意识到的潜在风险。



这个说法听起来比较抽象,可以用泰坦尼克号举例。泰坦尼克号出海之时,所有人都满怀期待,所有人都认为这会是一次顺利的航行,在一片欢呼声中起航,最终却遭遇事故。

我们的芯片产业同样存在这类潜在风险。我们想要发展芯片产业的愿望十分强烈,这份愿景本身是好事。但过于急迫,就容易催生急于求成的心态。

很多人会期待在五年之内解决全部难题,期待三年之内研发出对标头部产品的芯片,或是快速做出超越英伟达的芯片。这类预期会无形中引导科研人员,选择在现有成熟技术路径上做改良。

改良方案耗时短,能够快速看到成果。科研人员会因此不敢投入短期看不到回报的长期基础研究,不敢踏入无人探索的前沿领域,始终处于跟跑的位置。

短期来看,改良路线能够收获一定成果。但拉长时间维度,有可能再次陷入落后。

二十年之后,摩尔定律走到尽头,现有技术路线失效,就需要全新的技术方案顶上。过去我们的注意力,大多集中在显性的技术难题,想要尽快解决卡脖子问题。

但这类技术瓶颈是浮在水面上的问题,水面之下,还有更多更深层、更容易被忽略的难题,而这些潜在问题,往往更加关键。本质上,这是创新突破层面的问题。

创新分为多个不同层面。其中一个层面,是解决近三到五年内就要面对的现实难题,比如研发可以对标甚至超越英伟达 B200 的芯片,这类目标同样需要创新。



另一层创新,是面向未来,应对更加长远、更加严峻的技术挑战。不同层面的创新,需要不同主体去承担。

企业更偏向解决当下以及未来三五年的产业难题。高校与科研院所,则更多聚焦未来十年、十五年乃至二十年之后,需要突破的基础科学原理、物理机制问题。

芯片产业的发展,需要各类主体共同发力,缺一不可。正是这种多主体协同推进的体系能力,让韩国专家看到了中国在半导体核心技术上实现全面超越的真正底气。

他们继续讨论国内芯片产业的技术问题,一个通俗且具体的疑问是,国内芯片领域,是否有可能诞生一家能够对标甚至赶超英伟达的企业。这种可能性是存在的。

英伟达处于行业的明面上,它的优势清晰可见,短板同样暴露在外。英伟达产品性能强大,但存在功耗巨大的短板,也就是发热问题。



它的芯片不仅需要放置在专用机架内,还需要水冷系统进行散热。水冷可以参考燃油汽车的冷却系统,普通电脑、手机、平板并不需要水冷结构,足以看出这类芯片发热有多严重。

目前行业还没有找到完善的解决方案,只能依靠全新技术,提升芯片的计算效率。高功耗的根源,在于数据需要不断在中央处理器和存储器之间来回搬运。

搬运数据消耗的能量,甚至会比计算本身高出十倍以上。如果采用全新的计算架构,把计算单元和存储单元整合在一起,就不需要反复搬运数据,功耗可以降低十倍。

当前主流 GPU 产品,都还没有大规模应用存算一体这类技术。等到这类新技术成熟,或是能够和现有 GPU 技术抗衡的时候,凭借低功耗的优势,采用新架构的芯片企业就有机会崛起。



国内已经有不少初创企业,同步开展这类前沿技术的研究。所以,国内诞生对标英伟达的企业,具备现实可能性。

这种机会,究竟会集中在单一家企业身上,还是由一批企业形成产业联盟,共同搭建生态?更大概率不是依靠单一企业,而是分布在大量不同企业之间,依靠完整的产业生态形成竞争力。

依靠完整产业生态实现核心技术超越的逻辑,在新能源汽车与半导体结合的赛道上表现得更加淋漓尽致。站在产业前景的角度,国内芯片行业一直在寻找弯道超车的机会,新能源汽车芯片,是当下讨论热度很高的赛道,很多人好奇,这会不会是潜力最大的风口。

新能源汽车确实是芯片用量极大的应用场景。传统汽车搭载的芯片数量大概几十颗到上百颗,新能源汽车搭载芯片数量可以达到上千颗,甚至几千颗。



从数量层面,新能源汽车对芯片需求巨大。汽车芯片对计算性能的要求,并不算顶尖。

这类芯片的核心考核指标,是环境耐受能力,需要抵抗冲击,适应高温环境,对可靠性的要求极高。不过新能源车正在持续向智能化方向发展,未来会需要更多高性能芯片,这是国内芯片产业的重要机会。

除此之外,还有很多具备潜力的赛道。前面提到的存算一体芯片,将存储与计算功能整合在同一颗芯片内部。

还有新材料方向,除了硅基材料,行业也在研究碳基半导体晶体管,还有各类氧化物半导体,借鉴人脑神经元工作原理研发新型器件。光芯片也是一条长期发展的路线,很多人接触不多,但相关研究一直在推进。

光芯片依靠光信号完成信息处理。



现有芯片全部依靠电子,用电信号完成信息的存储、处理与传输。

光信号拥有独特优势,光速更快,信号延迟很低,功耗也远低于电信号。电流传输过程中会产生热量,光束传输几乎不会产生额外热量。

同时,光非常适合完成矩阵运算,刚好匹配人工智能的计算需求。目前光芯片的研究,大多集中在高校和科研院所,未来有机会成长为新的产业机遇。

我们把时间线拉长来看,当年对半导体上游设备与全产业链协同的布局,早已同造船业一样结出了核心技术全面超越的硕果。除了展会释放出的各类信息,芯片制造上游,也就是设备、材料、零部件环节,迎来前所未有的发展机遇。

全球正在开展规模空前的芯片扩产,国内是产能扩张最密集的区域。在全球半导体整体需求疲软的大环境之下,中国市场的表现依旧强劲,超出行业预期。



中国市场存在自身的特殊性。

国内对国产化设备的需求强烈,希望依靠本土设备完成高端芯片制造。

国内设备厂商借此迎来快速发展。晶圆厂也更愿意采购国产设备,后续设备维护会更加便捷。

多重因素叠加,国内芯片设备市场,在过去两年迎来高速增长。国际半导体设备市场本身存在周期性。

某一年大量采购设备,下一年采购量就会回落,市场会出现周期性起伏。长期来看,欧洲、美国、日本、印度都在搭建本土芯片供应链,新建晶圆厂,全球对于半导体设备的需求,还会持续上涨。

半导体是体量庞大的完整产业链。从完整产业链角度来看,国内是否具备比较优势?各个国家和地区各有优劣。

国内产业链最大优势,是和应用端、整机厂商结合紧密。国内家电、汽车等芯片下游产业,配套体系十分完善,产业链完整度高。

同时国内消费市场体量巨大,用户基数庞大,这是国内的核心优势。这套上下游紧密咬合的完整产业链,正是2026年今天中国制造业在核心技术上实现跨越的底层密码。



回望过去,韩国曾依靠精细制造在造船与半导体领域独占鳌头,但到了2026年,中国凭借510.2万个5G基站构筑的数字底座、庞大的工程师红利以及从长鑫存储G5平台量产到完整造船工业的体系化实力,彻底改写了东亚乃至全球的产业分工。

韩国专家早已看清,从造船到半导体,中国在核心技术上的全面超越绝非单一产品的偶然突围,而是一场超大规模完整产业生态的必然胜利。

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