北京
国家知识产权局信息显示，合肥吉芯科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件及其制作方法”的专利，公开号CN122871672A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓器件及其制作方法，涉及化合物半导体材料与器件技术领域，氮化镓器件包括金刚石衬底、氮化物薄膜、GaN外延层、栅极、源极、漏极、钝化层、背孔和背面金属层，制作方法包括：步骤一、制作金刚石衬底结构；步骤二、制作GaN外延层；步骤三、制作源极、漏极和钝化层；步骤四、制作栅极；步骤五、在器件背面开设背孔，并对背孔金属化；本发明制作的氮化镓器件以金刚石为衬底，改善芯片的散热性能，提升芯片的功率和效率，且制作方法避免了外延层的剥离、转移、键合等复杂工艺，将GaN外延层直接制作在金刚石衬底上，可以极大地简化器件制作工艺流程，提升制造良率、降低制造成本、提升工艺的稳定性。
天眼查资料显示，合肥吉芯科技有限公司，成立于2024年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥吉芯科技有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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