北京
国家知识产权局信息显示，深圳市爱协生科技股份有限公司申请一项名为“基于深阱结构的低寄生电容器以及芯片”的专利，公开号CN122871651A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于深阱结构的低寄生电容器以及芯片，该电容器包括：三阱结构和设置于所述三阱结构上的飞跨电容；所述三阱结构包括第一型衬底、第二型深阱和第一型阱，所述第二型深阱设置于所述第一型衬底上，所述第一型阱设置于所述第二型深阱上；所述第二型深阱通过第一高阻导线连接第一偏执电压。在深阱和衬底的寄生电容小的特点的基础上，通过高阻导线将深阱偏置到固定电位，将反偏PN结电容串联到电容器对第二型深阱和第一型阱的寄生通路中，利用电容串联分压原理显著降低飞跨电容的上下极板对衬底的总等效寄生电容，把其用于内置电容的电荷泵中，降低了电荷泵的飞跨电容的寄生电容，从而降低了电荷泵额外电流消耗，极大提高了电荷泵的效率。
天眼查资料显示，深圳市爱协生科技股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5220.3233万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市爱协生科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息347条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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