北京
IT时代网10月2日消息，据Chosun报道，随着AI半导体中介层面积持续放大，高集成与高性能带来的散热问题成为下一代高带宽内存的关键挑战。三星电子将定于明年量产的第七代HBM（HBM4E）视为AI存储市场的转折点，正筹备多重散热技术并强化与设备伙伴的合作。此前，本站曾报道过三星将混合键合明确为首个亚10nm节点堆叠方案的消息。
业界数据显示，当前AI半导体中介层的面积约为极紫外光刻设备单次曝光上限858平方毫米的5.5倍，预计将进一步扩大到9倍、12倍，最终可达40倍。中介层是连接GPU等计算芯片与HBM的中间基板，面积越大，可承载的计算芯片与存储就越多。先进制程单颗芯片难以满足大规模AI运算需求，将多颗芯粒布置在中介层上的2.5D封装因此成为高端服务器半导体的标准做法；SRAM缓存微缩陷入停滞，也进一步放大了外置HBM的作用。
产品进度上，三星电子今年5月率先向业界出货HBM4E 12层样片，该产品预计采用10纳米级第六代（1c）DRAM与4纳米代工工艺。SK海力士也于6月向主要客户供应了HBM4E 12层样片。
散热技术方面，三星以低功耗设计为基础，重点推进HCB混合铜键合与HPB两条路线：HCB消除堆叠DRAM层之间的微凸点、以铜线直接连接，缩小层间距、整体变薄从而改善散热，该技术已在3月的英伟达GTC 2026上展示；HPB则是无需混合键合的替代散热方案。三星还在评估封装与服务器系统层面的冷却技术，并与关键设备制造商及后道工艺企业扩大合作。
编辑：林一舟
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