北京
国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆”的专利，公开号CN122871696A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，其中半导体器件包括有源区和终端区，终端区包括半导体本体：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，还包括结扩展区和第一区域，第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面；结扩展区设置为第二导电类型，位于第一表面且围绕第一区域设置；介质层，位于第一表面；介质层中具有固定电荷，且介质层中的固定电荷与第一区域中的载流子的极性相反。本申请提供的技术方案在保证高耐压的前提下，降低JTE终端结构对注入剂量的敏感度、提高其抗固定电荷干扰能力、并优化电场分布以改善局部电场尖峰问题。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目47次，专利信息165条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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