北京
国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN122871680A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，包括半导体本体，半导体本体包括多个第一元胞结构，第一元胞结构包括阱区、源区、第一区域、第二区域和至少一个第三区域；第一区域位于源区远离第一表面的一侧，且与源区接触；第二区域位于第一表面且贯穿源区；第二区域在第二表面上的正投影与第一区域在第二表面上的正投影不交叠；第三区域位于第二区域远离第一表面的一侧；或，第三区域位于第二区域内；栅极，位于第一表面；源极，位于第一表面，且至少部分源极与第二区域形成欧姆接触；漏极，位于第二表面，实现避免栅氧局部电场过强，改善体二极管的反向恢复，提高反向恢复软度。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目47次，专利信息165条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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