北京
国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司申请一项名为“非晶氧化物半导体薄膜及其制造方法、薄膜晶体管”的专利，公开号CN122871669A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种非晶氧化物半导体薄膜及其制造方法、薄膜晶体管，包括：采用原子层沉积工艺，利用金属铟的有机化合物作为反应前驱体，并利用金属镁的有机化合物作为掺杂反应源，采用含氧离子的氧源进行沉积反应，得到非晶氧化物半导体薄膜。如此，使得在实际工艺中，可以灵活调整原子层沉积的循环数目，从而能够精确调节氧化物半导体薄膜的载流子迁移率和禁带宽度，使得基于本发明所得到的非晶氧化物半导体薄膜作为沟道制备的薄膜晶体管的阈值电压和载流子迁移率能够灵活精确调节，同时还能够提高薄膜晶体管的偏压稳定性和工艺温度稳定性以及器件的电学性能，解决了如何提高氧化物半导体薄膜的电学性能、可靠性和工艺温度稳定性的问题。
天眼查资料显示，上海集成电路制造创新中心有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目167次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息251条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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