北京
国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“功率半导体模块及其制作方法”的专利，公开号CN122872177A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种功率半导体模块及其制作方法。所述功率半导体模块例如包括：基板；芯片，设置在基板的第一侧，所述芯片的背离基板的第一表面配置有至少一个电极焊盘，所述至少一个电极焊盘包括第一电极焊盘；塑封体，包封基板的至少部分和芯片的部分，所述塑封体上设有至少一个开孔，所述至少一个开孔包括第一开孔、且第一开孔暴露出第一电极焊盘的至少部分；以及至少一个外接引脚，包括第一外接引脚，所述第一外接引脚部分暴露于塑封体外、且部分伸入第一开孔内并通过填充在第一开孔内的导电材料与第一电极焊盘电连接。本发明实施例使得从第一电极焊盘到第一外接引脚之间的信号传输路径较短，互连寄生效应得以减小，可以提升功率半导体模块性能。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目64次，专利信息473条，此外企业还拥有行政许可149个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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