北京
美光本月把长江存储告上了法庭。诉状里的指控链条相当完整：挖走核心工程师，通过他们拿到NAND存储器的技术诀窍，再用这些信息搭起自己的非易失性存储器和专利组合，最后拿这些专利反过来指控美光侵权。
这家总部位于爱达荷州博伊西的公司进一步声称，长江存储用授予其前员工的专利，在多个司法管辖区指控美光专利侵权。
一套被指"简单却有效"的打法
按照美光的说法，长江存储想快速拼出一套覆盖从基础技术到复杂制造方法的完整知识产权组合，同时还要让自己的专利与其它3D NAND厂商的专利产生重叠，以便具备攻击美光的能力。为此它选择了一条路径：从美光挖工程师，再让这些人去申请标准必要发明，或者申请与他们当年在美光所做工作高度相似的发明。
这些前员工离开美光时没有引起追问。诉状称，他们给出的离职理由是一系列宽泛的个人或家庭原因，甚至没有更新自己的领英资料来反映在长江存储的新职位。而这些人身上带着离职后仍然有效的保密义务，禁止他们使用、披露或持有美光的机密信息。
美光方面表示，当时并没有认真调查这些前员工的下落，也"没有理由怀疑长江存储本身"在谋划使用其机密信息，理由是"长江存储在行业内没有任何实质性的市场份额"。
从64层3D NAND开始的指控
美光这次的指控不止于"前员工把制造经验带到了新东家"这种行业里常见的情况。它声称长江存储系统性地从前美光工程师处获取了3D NAND和存储器的机密技术，并把这些知识融入了自己的制造流程——从64层3D NAND开始，延伸到存储产品，以及最关键的专利组合。
美光说，它是在长江存储于2023年11月在加州起诉它专利侵权之后，才开始发现这套被指存在的安排。当时它注意到，几项被用来指控自己的专利，发明人一栏写的是前美光工程师的名字。
诉状中点名了一批后来成为长江存储专利发明人的前员工，包括Hongbin Zhu、Jun Liu、Yushi Hu、Qian Tao、Changhyun Lee、Daesik Song、Wenxi Zhou和Hua Tan。美光称，这些工程师接触过不同类别的机密技术，覆盖高深宽比刻蚀、替换栅极工艺、多堆叠连接、柱体成形与清洗、存储器I/O电路等广泛的3D NAND相关诀窍。
诉状还单独提到Daesik Song、Wenxi Zhou和Hua Tan三人：他们都对美光负有保密合同义务，在美光任职期间接触过某些商业秘密，并且据美光了解，三人都是在离开美光后不久就加入了长江存储。美光称，这些人经常通过访问其高度机密的技术材料，接触到存放在博伊西服务器上的一类或多类商业秘密。
专利记录印证了哪一部分
专利记录独立印证了美光指控中的一个重要部分：数名前美光工程师后来确实成为了长江存储专利的发明人，而长江存储最终用这些专利来对付美光。
但这一点本身并不能证明任何不当挪用。工程师换雇主是常态，他们也会继续在自己擅长的领域搞发明。美光的进一步指控是，其中一些专利覆盖的发明，构思或开发完成的时间点，这些发明人还在美光工作。正因如此，美光请求法院把这些专利的所有权从长江存储转移到自己名下。
诉状中列出的一张对应表显示，Hongbin Zhu名下的多件美国专利，包括US 11,049,866、US 11,532,636、US 10,566,336、US 10,879,254、US 11,581,322，均与PCT/CN2018/101482这一专利族相关。美光对这些专利主张所有权，其中部分与在加州被主张的专利属于同一专利族，US 10,879,254则是在加州诉讼中被长江存储主张的专利。
存储市场上的竞争向来残酷，DRAM和NAND的主要生产商互相争夺份额，同时还要维持盈利。这些公司之间签有广泛的交叉授权协议，用来中和可能带来毁灭性禁令、让晶圆厂停摆、最终导致相互确保摧毁的直接专利战。但来自中国的新兴竞争者似乎不在这个框架之内——长江存储和长鑫存储都成立于2016年，正在各个法院越来越多地攻击美光，这或许是一种先发制人的打击，以避免重蹈中国同行福建晋华的命运。
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