智通财经APP获悉,高盛在 9 月 30 日发布的《韩国科技:存储价格追踪》中提出一个判断:TrendForce 对 2026 年四季度存储合约价的预测全面高于高盛自身预估,PC DRAM、服务器 DRAM 与 NAND 三项偏高,只有移动 DRAM 与高盛基本一致。该行重申对三星电子(并列入确信买入名单)与 SK 海力士的“买入”评级。
四季度的三条涨价线
据高盛引述 TrendForce 的预测,四季度 PC DRAM、服务器 DRAM、移动 DRAM 的平均售价将分别环比上涨 13%-18%、10%-15%、0%-5%;NAND 整体环比涨 15%-20%,其中企业级 SSD 一项就涨 23%-28%。
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对照高盛自己的模型:三星与 SK 海力士的均值口径下,四季度 PC DRAM 环比涨 9%、服务器 DRAM 涨 10%、移动 DRAM 涨 3%-4%、NAND 涨 9%-11%。也就是说,除移动端基本吻合外,其余三个口袋 TrendForce 都更乐观。需要留意口径层级——据 TrendForce 集邦咨询官方新闻稿,四季度一般型(Conventional)DRAM 合约价环比涨 10%-15%,计入 HBM 后的整体 DRAM 涨 15%-20%,高盛报告中的 13%-18% 是 PC DRAM 这一细分项,两者不可互换。
再看 2027 年一季度:TrendForce 预计 PC DRAM 与服务器 DRAM 分别环比涨 3%-8%,服务器端与高盛的 3%-7% 基本吻合;移动端则将重拾动能,LPDDR5X 与 LPDDR4X 分别预计环比涨 13%-18% 与 5%-10%。
现货比合约更紧:DDR4 溢价已到 44%
从 9 月的价格看,涨价并非只写在预测里。据高盛引述 TrendForce 数据,DDR4 8GB 合约价环比上涨 4% 至 148 美元,DDR5 8GB 持平于 133 美元,DDR5 相对 DDR4 的折价因此扩大至 10%(8 月为 6%);服务器端 DDR4 64GB 模组持平于 1,295 美元,DDR5 64GB 模组环比微涨 1% 至 1,515 美元,DDR5 溢价由 16% 升至 17%。
真正的信号在现货:DDR5 16Gb 现货较最新合约价溢价 20%,DDR4 8Gb 现货的溢价更高达 44%——老一代产品因原厂逐步退出而尤为紧俏。高盛指出,PC OEM 为应对 2027 年可能的供给收缩,在整个四季度仍将维持激进采购,这是价格最主要的支撑。
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驱动机制并不复杂:原厂继续把先进制程产能优先投向服务器高性能产品,整体供不应求的格局未变;服务器端随着 CPU 供给改善,云服务商与服务器 OEM 追加位元采购,以满足代理式 AI(agentic AI)场景下通用服务器对 RDIMM 的需求,但受零部件供给、封测产能与 DRAM 前段制程调度弹性限制,供给组合仍无法匹配需求。TrendForce 还提示,部分卖方因长约(LTA)中的价格区间机制,出货涨幅会落后于市场平均——这是判断原厂实际业绩时容易被忽略的一层。
企业级 SSD:唯一“越涨越快”的品类
NAND 内部出现了明显分化。据 TrendForce,随着云服务商持续加码 AI 推理基础设施,2026 年企业级 SSD 位元需求预计同比增长逾 80%,采购驱动力已从大模型训练转向实际的 AI 部署,代理式 AI 的大规模上线使实时检索与缓存的数据量成倍放大,QLC 在向量数据库中的渗透同步提升;原厂虽扩增 QLC 与高容量机型供应,但新增产能多已被客户提前锁定,流入公开市场者有限。企业级 SSD 因此成为四季度唯一涨幅加速的存储品类。
客户端 SSD 则是另一幅图景。据 TrendForce,PC OEM 可依靠上半年建立的整机库存与渠道备货支撑四季度出货,只需补充零星缺料品类;品牌厂为压低整机物料成本还下调了主流机型的 SSD 容量,采购量与平均搭载容量同步收缩。买方手握库存、采购量有限,原厂报价态度转趋弹性,涨幅受到抑制。eMMC/UFS 更弱——手机品牌多以既有库存支撑四季度生产,向原厂新增的采购量相当有限。
移动端是唯一的例外,但明年一季度要补涨
四季度移动 DRAM 只涨 0%-5%,是全表最弱的品类。TrendForce 的解释是:LPDDR 成本高企压制智能手机产量,加上原厂把产能转向服务器产品导致手机端配额吃紧,位元需求整体被压低;涨价格局虽已确立,但由于前期已大幅提前反映涨幅,四季度涨势较上一季度收敛。高盛则把这归因于“供应从移动端被重新分配到服务器端”这一结构性挤压。到 2027 年一季度,这一压制预计反转,LPDDR5X 与 LPDDR4X 分别环比涨 13%-18% 与 5%-10%。
2027 年更紧:HBM 吃掉产能,降规格也救不了成本
真正决定这轮周期长度的是 2027 年。据 TrendForce 9 月 29 日发布的研究,AI 服务器需求持续扩张,使 HBM 与传统 DRAM 继续争夺有限的先进制程与晶圆产能,加上新一代产品良率与产出爬坡需要时间,2027 年存储供应将持续吃紧;该机构已上修 2027 年 HBM 价格展望,预估混合平均售价(Blended ASP)同比增长 121%,反映高价 HBM4 占比提升与 HBM4e 于 2027 年下半年逐步放量。
产能侧的挤压有明确数字。据三星电子执行副总裁金泰宇(Kim Taewoo)9 月 29 日对外披露,HBM 占全球 DRAM 厂晶圆总产能的比重预计从目前的约 20% 升至 2027 年的近 30%;HBM 与传统 DRAM 共用同一套晶圆产能资源,HBM 产出扩大将挤压传统 DRAM 的供给空间。HBM 单片所占晶圆面积约为传统 DRAM 的三倍,这意味着传统 DRAM 供给被挤出的速度可能是 HBM 占比提升速度的两到三倍。
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值得注意的是,降价思路走不通。GPU 与 ASIC 厂商正讨论把 HBM 从 12 层(12-Hi)降到 8 层以降低成本,但 TrendForce 指出,每颗 HBM 都需搭载一颗 Base Die,该成本不会随层数减少而成比例下降,8-Hi 可分摊 Base Die 成本的 DRAM 容量更少,换算后的每 Gb 成本反而更高,2027 年 8-Hi 的每 Gb 价格可能较 12-Hi 溢价 10%-20%——降规格可部分缓解 GPU 成本压力,但扭转不了 HBM 整体大幅涨价的趋势。
高盛的估值与它列出的风险
高盛对三星电子的 12 个月目标价为普通股 49 万韩元,采用 2026-2027 年 EV/EBITDA 分部估值(SOTP);优先股目标价 36 万韩元,对应 27% 的目标优先股折价(取二因子模型折价与过去一个月平均折价的均值),普通股与优先股均为“买入”。下行风险列了三条:存储供需大幅恶化、智能手机利润率急剧收缩、移动 OLED 市场份额流失。
对 SK 海力士的 12 个月目标价为350 万韩元,采用 2026-2027 年平均市盈率法,目标 P/E 为 9.0 倍。风险列了四条:存储供需大幅恶化与技术迁移延迟;智能手机、PC、服务器需求走弱拖累传统存储需求;三星 HBM 业务进展积极从而冲击其 HBM 收入与利润;AI 相关资本开支下滑削弱 HBM 需求。
市场为什么还在卖
耐人寻味的是,价格越涨、韩国半导体股价反而承压。据韩国媒体报道,全球基金为降低风险集中抛售新兴市场中易于变现的大盘芯片股,外资一度在 6 个交易日内净卖出三星电子与 SK 海力士合计约 496 亿元人民币;韩元短期大幅走强,让外资有机会抛售浮盈的芯片股并锁定汇兑收益,同时引发对主要出口巨头三季度业绩不及预期的担忧。三星电子此前宣布 15 万亿韩元回购计划,SK 海力士计划回购并注销价值 40 万亿韩元的股票。
基本面上,三季度业绩仍指向历史高位。据 FnGuide 汇总的券商共识,三星电子三季度营业利润预计约 110.3 万亿韩元,同比增长逾 8 倍,将成为首家单季营业利润突破 100 万亿韩元的韩国企业;SK 海力士预计约 78.1 万亿韩元,环比增长约 29%;两家合计约 188 万亿韩元。不过分歧同样存在——DS 投资证券给出三星 104 万亿、SK 海力士 70 万亿的偏保守预测,核心理由是韩元较二季度末大幅走强(美元兑韩元汇率下跌约 11%):两家公司收入几乎全部以美元计价,韩元升值意味着换算回韩元的收入缩水,抵消了部分涨价红利。
财报端的最新注脚来自美光。据其 9 月 30 日发布的 2026 财年第四财季报告,单季营收 542.3 亿美元、同比增长约 379%,调整后毛利率 87.0%,调整后每股收益 33.42 美元,均高于市场预期;2027 财年第一财季营收指引约 615 亿美元,同样高于分析师预期的 568 亿美元。财报公布后美光盘后小幅震荡,而该股年内累计涨幅已达约 273%,是费城半导体指数成分股中表现最好的一只。
这轮存储行情的核心变量始终是同一个:AI 资本开支能否延续。只要超大规模云厂商的建设节奏不停,涨价就能传导下去;而一旦 AI 投资降温,如今锁在长期协议里的高价位库存,反噬也会来得很快。
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