单颗512GB：Intel想用立着堆的内存换掉HBM

AI 服务器上最贵的零件，这两年一直是 HBM。三星、SK 海力士、美光的产能被一路订到明年，价格抬了一轮又一轮，想买还得排队。就在这个当口，Intel 在东京拿出了一个反着做的方案：既然平着叠会积热，那干脆把内存立起来堆。

这块内存叫 ZAM，全称 Z-Angle Memory，中文可以直译成“Z 角内存”，由 Intel 和软银旗下的 SAIMEMORY 联合研发。从公布的结构图看，它跟现在所有量产的 HBM 都不是一个做法。

HBM 真正的瓶颈不是带宽，是热量

先说清楚 HBM 是怎么做的。它把一个又一个 DRAM 晶粒平着摞起来，再用硅通孔（TSV）从上到下穿孔连通。这个做法换来了极宽的位宽和极高的带宽，代价是所有热量都困在堆叠体的夹层里。

晶粒每多一层，中间那几层的散热路径就长一截。业界普遍的说法是，平放堆叠到 16 到 20 层左右，就会撞上热管理的天花板。越往上堆，良率越难看，功耗也跟着涨。所以 HBM4 之后各家的路线图，其实都在跟同一个问题较劲：层数还要加，热往哪走。

当年选平着摞，不是没想到散热，而是因为平着摞最好做。晶粒之间贴合面大，混合键合容易对准，封装出来是一片规规矩矩的方块，能直接挨着 GPU 放，走线距离最短。这套方案把带宽做到了极致，也把散热这条路提前走窄了。

ZAM 的解法：把芯片立起来，热就有地方去

ZAM 换了个姿势。它不再把 DRAM 晶粒平着摞，而是立着、斜着堆，用所谓的“Z 形对角铜互连”把每一层连起来，中间还留了一根中央散热柱。结构图上标得很清楚：堆叠的 DRAM 层、Z 角铜互连、中央散热柱、混合键合界面、逻辑基底晶粒，一层一层立着码上去。

立着堆最直接的好处是热路变短。热量不必再穿过整个堆叠体，而是从侧面和中央的柱子往外散。日媒给出的对比图画得很直白：旧结构的热“憋在里面”，新结构的热“跑得出去”。

第二个好处是供电和通信能拆开做。每一颗芯片都可以单独通信、单独供电，不必挤在同一条 TSV 链路上。

按 SAIMEMORY 公布的口径，同样面积下单颗芯片的最高容量可以做到 512GB，是当前主流 HBM 模组的 2 到 3 倍；功耗比 HBM 低 40% 到 50%，也有报道称最多能低 60%；互连结构简化之后制造工艺跟着变简单，成本有机会低一大截。

如果这些数字最后都能落地，它冲击的就不是某一代 HBM，而是 HBM 这套“平着摞”的路线本身。

Intel 重回内存，靠的不是自己出钱

这里有个容易被忽略的背景：Intel 上一次认真做内存还是上世纪 80 年代中期的事，当时它被日本厂商挤出了 DRAM 市场。后来它偶尔回来过——2022 年 7 月关停傲腾（Optane）业务，一次性计提约 5.59 亿美元，又退了一次。

所以这次它换了打法。技术由 Intel 出，来路是自家的“下一代 DRAM 键合”计划（NGDB），背后有美国能源部的支持，也接上了东京大学的专利积累。钱、公司、政策支持则交给日本这边：软银 2024 年底发起成立 SAIMEMORY，日本政府的 NEDO 提供了资助，整个研发计划周期定在 3.5 年。凑在同一个盘子里的还有富士通、理化学研究所（RIKEN）、日本政策投资银行、Shinko Electric，以及已被美光收购的力积电。

在 Intel Connection Japan 的现场，Intel 日本社长和 SAIMEMORY 社长一起把原型摆上了台。SAIMEMORY 社长山口秀哉给这件事定的性，是“一个颠覆性的挑战”。

时间表比宣传语诚实：2027 出原型，2029 才谈商业化

有一点必须说清楚：现在拿出来的是一块原型，属于概念验证，不是能卖的产品。

按日本财年算，SAIMEMORY 计划在 2027 财年（也就是 2028 年 3 月之前）做出可用的原型，商业化目标放在 2029 财年。软银在原型阶段的投入约 30 亿日元。

这个时间点很关键。ZAM 要面对的不是今天在产的 HBM3E，甚至不是明年的 HBM4，而是 2029 年之后那一代产品。它在发布会上拿来对标的那些优势，也得等到那时候才能当面对上。

换句话说，这场仗还没开打，现在只是有人先把座位占住了。

为什么偏偏是现在：缺得越久，远期技术越有人掏钱

一条技术路线能不能立项，看的从来不只是它好不好，而是有没有人愿意在这个时间点掏钱。今年的存储行情，正好给了这个理由。

DRAM 采购价一年之内翻了好几倍，笔记本的整机价签跟着往上涨；AI 数据中心把 HBM 产能吃掉之后，通用 DDR5 内存条和 SSD 的排产都得往后排。9 月 28 日，群联电子 CEO 潘健成公开回怼宏碁董事长陈俊圣“存储短缺很快结束”的说法，话讲得很直接——好像只有宏碁不缺货；他的判断是短缺才刚开始，行业还要再硬扛几年。他还提到一条更硬的约束：新增产能最早 2028 年才能上线，而此前有预测认为，即便把所有新建和扩建产能都算进去，2030 年的需求也只能满足 76%。

短缺拖得越久，替代路线的窗口就越大。对 Intel 来说，这里还有一层更私人的理由：HBM 现在是别人的生意，ZAM 是它重新坐回内存这张牌桌的入场券。

别急着下结论，死在实验室里的“HBM 杀手”不止一个

该泼的冷水也得泼。

新一代存储从原型走到量产，中间隔着良率、封装和客户认证三道硬关。垂直堆叠虽然散热好，可要把良率做上去，本身就要靠混合键合这种当前 HBM 也在啃的硬骨头。再说得直白一点：立起来之后，同样容量占的封装面积会变大，怎么跟 GPU 挨在一起、怎么塞进现有服务器的主板空间，都是要重新解的题。过去几十年里，停在实验室里的存储概念不止一个两个。

所以更合理的看法是：ZAM 短期替代不了 HBM。它现在的价值，在于提出了一种不同的解法——当整个行业都在朝同一个方向加层的时候，有人开始问“层到底该怎么叠”。

这个问题问得对不对，2029 年会给出答案。在那之前，HBM 该抢的还得抢。

你觉得 ZAM 这种立着堆的内存，是会真落地，还是又一个停在原型阶段的概念？评论区说说你的判断。