北京
国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN122846689A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低沟道结构与第一电极结构之间的接触电阻。所述半导体器件包括沿第一方向堆叠的晶体管和电容器。晶体管包括沟道结构、栅介质层和栅极结构。沟道结构沿第一方向延伸。栅介质层围绕至少部分沟道结构设置；沟道结构中靠近电容器的一端，位于栅介质层沿第一方向的一侧。栅极结构设于栅介质层的远离沟道结构的一侧。电容器包括第一电极结构。半导体器件还包括第一连接结构，第一连接结构与第一电极结构连接，并包裹沟道结构中靠近电容器的一端。上述半导体器件应用于存储系统中。
天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目3次，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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