北京
国家知识产权局信息显示，合肥中科微电子创新中心有限公司申请一项名为“一种用于提升铁电存储器可靠性的存储阵列结构”的专利，公开号CN122842646A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于提升铁电存储器可靠性的存储阵列结构，涉及集成电路设计领域，所述存储阵列结构本体包括多个存储块和外围关键电路，每个存储块包括多个子阵列；每个子阵列共用同一根板线；每个子阵列的位线周围设置有相同数量的冗余线，每个子阵列包含多条字线和多条位线，字线包括多个常规字线和一个冗余字线，冗余字线连接一行冗余存储单元。本发明能显著提高位线信号完整性，消除耦合噪声，提供ECC冗余位支持，实现数据纠错，提供修调冗余单元，支持动态参数优化，采用离散字线结构，降低功耗与串扰，提升速度，位线冗余与离散字线协同优化，消除边缘效应，提高工艺一致性，分层模块化设计，便于扩展。
天眼查资料显示，合肥中科微电子创新中心有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥中科微电子创新中心有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目78次，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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