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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“用于互补晶体管的减小的间隔的槽区叉片和CFET架构”的专利，公开号CN122846801A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开涉及用于互补晶体管的减小的间隔的槽区叉片和CFET架构。集成电路(IC)器件具有叉片晶体管。IC器件可包括具有由电介质壁分离的不同栅极堆的相邻叉片晶体管。电介质壁可类似于相邻叉片脊柱并且居中在相邻叉片脊柱之间，叉片脊柱位于纳米带沟道堆上并且位于纳米带沟道堆之间。栅极堆可包括：内栅极电介质层，位于纳米带沟道上；和外栅极电介质层，既位于内栅极电介质层上又位于分离栅极电介质堆的电介质壁上。相邻晶体管的内栅极电介质层和外栅极电介质层中的任一个或二者可具有不同厚度或材料成分。通过将纳米带沟道划分为分开的栅极槽区，栅极电极和栅极电介质堆之间的电介质壁可以能够实现晶体管栅极的独立处理。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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