北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122846705A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，提供了三维（3D）半导体器件和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体器件包括多个垂直晶体管，每个垂直晶体管包括：具有低于皮安培的泄漏值并且包括垂直半导体部分和至少一个横向半导体部分的半导体层，包括在垂直半导体部分上并且在垂直方向上延伸的垂直栅极电介质部分的栅极电介质层，在栅极电介质层上并且通过栅极电介质层与半导体层分隔开的栅电极。所公开的半导体器件还包括多个电容器，每个电容器与多个垂直晶体管中的对应一个垂直晶体管的半导体层耦合。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1497次，财产线索方面有商标信息1034条，专利信息6299条，此外企业还拥有行政许可1243个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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