北京
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京都大学的研究团队在6英寸碳化硅（SiC）晶圆上，成功制造出高度均匀的互补结型场效应晶体管（CJFET），打破了高温应用场景下的限制。
成果可以拆成三个层面：
- 材料：碳化硅（SiC）
- 器件：互补结型场效应晶体管（CJFET）
- 制造：6英寸晶圆，高度均匀
该成果由京都大学的研究团队完成，方向是互补结型场效应晶体管在SiC晶圆上的均匀制造。
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