北京
国家知识产权局信息显示，深圳市中星联技术有限公司申请一项名为“一种芯片共晶贴片结构、半导体器件和电子产品”的专利，公开号CN122847229A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种芯片共晶贴片结构、半导体器件和电子产品，涉及半导体技术领域，所述芯片共晶贴片结构包括：基板和设于所述基板上芯片，以及设于所述芯片与所述基板之间的共晶连接层，所述共晶连接层包括依次层叠设置有第一金属间化合物层、第一缓冲层、第二缓冲层和第二金属间化合物层，其中，所述第一缓冲层和第二缓冲层均含有导热填料，且所述第二缓冲层中导热填料的质量占比大于所述第一缓冲层中导热填料的质量占比，通过引入位于两层金属间化合物（IMC）之间的第一缓冲层和第二缓冲层有效解决了热膨胀系数失配引发的热应力问题，且导热填料呈梯度分布的逐级释放热力，从而在显著降低芯片开裂与界面分层风险的同时，保持高导热导电性能。
天眼查资料显示，深圳市中星联技术有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市中星联技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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