北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种硅抛光片多片堆叠LTO去边的方法”的专利，公开号CN122847060A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制造技术领域，尤其涉及一种硅抛光片多片堆叠LTO去边的方法，包括：S1、硅片准备与堆叠：将多个硅抛光片通过双面胶带逐层粘合堆叠，形成硅片堆叠体，堆叠时确保各硅片边缘对齐；S2、胶带固定与加压：在堆叠体上下表面覆盖保护胶带，施加压力并保持预设时间，确保堆叠体粘合的稳定性和边缘平整度；S3、去边加工：将堆叠体整体装夹于浸润装置保持旋转，浸润装置向堆叠体喷射HF溶液进行腐蚀去边，达到预设时间后取出堆叠体；S4、胶带去除与清洗：加热软化胶带后逐片分离硅片，随后采用清洗硅片，去除残留胶质和颗粒。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本523559.0107万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息487条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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