北京
国家知识产权局信息显示，艾姆西艾（宿迁）电池技术有限公司申请一项名为“一种超低轮廓HVLP铜箔及其制备方法”的专利，公开号CN122833666A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及铜箔制备技术领域，具体公开了一种超低轮廓HVLP铜箔及其制备方法。所述HVLP铜箔的制备方法包括：在生箔电解液中加入功能化明胶进行电沉积，制得原箔；将原箔依次进行活化处理、粗化处理、表面保护处理、防氧化处理和偶联处理，得到超低轮廓HVLP铜箔。所述偶联处理采用含非硅偶联剂的偶联处理液进行处理。生箔电解液中的功能化明胶能够调控铜离子沉积行为，改善铜箔表面形貌并降低表面粗糙度；非硅偶联剂能够提高铜箔表面锚定能力以及与树脂基材之间的界面结合稳定性。本发明制得的铜箔具有表面粗糙度低、界面结合性能好的特点，适用于高频高速覆铜板、低介损印制电路板及高速传输线路板等领域。
天眼查资料显示，艾姆西艾（宿迁）电池技术有限公司，成立于2023年，位于宿迁市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，艾姆西艾（宿迁）电池技术有限公司参与招投标项目3次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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