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据《首尔经济日报》与韩国KIPOST报道，英伟达正在推进玻璃基板方案评估，并联合德国设备商SCHMID开展设备研发，同时要求韩国、日本及中国台湾地区的基板厂商在两年内完成技术开发，目标最快2028年落地。这份时间表，把一项长期停留在实验室与中试阶段的材料技术，正式推上了AI芯片的量产倒计时。
SCHMID在近期财报说明会上透露，公司正同步为英伟达、英特尔、AMD供应链开发玻璃基板设备；当前最大卡点落在TGV（玻璃通孔）的金属化工艺上，客户认证尚未完成。玻璃本身是绝缘体，要在其上打出微米级通孔并完成种子层沉积、电镀填充与热应力控制，难度远高于传统有机基板，玻璃与金属热膨胀系数的天然差异还会在高温回流环节诱发微裂纹，良率爬坡因此迟迟难以通过终端验证。换言之，玻璃基板距离大规模量产，卡住的已不只是材料本身，而是打孔、金属化、对位、良率构成的整条工艺链。
英伟达的布局并不只在基板一层。一端是上游材料与光互连：今年5月，英伟达与康宁达成多年期商业与技术合作，将通过认股权证安排向康宁投资最高27亿美元，康宁据此在美国新建三座制造工厂，把本土光学连接产能扩大十倍，专项服务超大规模AI数据中心；严格来说，这项合作聚焦的是AI基础设施所需的光连接产品，而非玻璃基板本身，但它与玻璃基板、CPO方向存在明显产业协同。另一端是封装与供应链：英伟达持续与台积电联合定义CoPoS玻璃面板级封装，用于承载超大尺寸面板封装、在单个封装内塞入更多HBM；CEO黄仁勋则亲自与韩国SK集团会长崔泰源会面，探讨包括玻璃基板在内的下一代半导体合作，意在打通韩系基板与材料供应链。
巨头集体下注的动力，来自有机基板正在逼近物理极限。AI芯片功耗与封装面积同步放大，ABF、BT等有机材料在耐热、翘曲、层间错位上的问题日益突出；玻璃基板热膨胀系数可调、平整度高，与硅更为接近，在大尺寸封装下能显著降低热应力与图形畸变。业界测算显示，采用玻璃基板有望提升芯片速度约40%、降低近一半功耗，并支持更大尺寸的面板级封装，让单封装集成更多芯片与HBM。
从产业节奏看，全球玻璃基板正从技术验证转向中试与客户认证。海外方面，英特尔、三星电机、DNP、Absolics等已推进送样测试，量产窗口普遍集中在2028年前后；国内方面，京东方、沃格光电、美迪凯、蓝思科技等持续搭建中试线，TGV成孔、金属化、RDL等国产配套环节逐步落地。华创证券指出，AI、HPC与HBM拉动高端先进封装扩容，封装向更大尺寸演进，面板级封装趋势有望进一步放大玻璃在大尺寸、高平整度、低翘曲方面的适配优势，CPO与高频射频场景则将持续打开新的应用边界；产业链上，玻璃原片国产化仍处早期，但TGV加工、电镀金属化环节已有国内企业实现小批量交付放量。
需要看到的是，两年完成开发、2028年落地仍是一份目标表而非承诺表：从英特尔早年预研至今仍未全面量产即可看出，认证周期与良率爬坡任一环节延后，都可能把时间表向后推。可以确定的是，AI算力的竞争正从制程与芯片层，一路打到封装与材料层——谁先跑通TGV金属化这道坎，谁就有机会在下一代。
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